三星已经开始批量生产的20纳米DRAM芯片

三星已经开始批量生产的20纳米DRAM芯片

2019年4月6日 0 作者 管理员

三星今天宣布量产的具有拓扑20个纳米DRAM型存储器芯片的开始。基于新芯片的韩国巨人笔记,但DDR3内存模块能够花费高达25 {} f8a532220f0de27a231c66e2f012401e0f6dc5d7d288736d6715349e9061f251更少的能源与基于25纳米芯片的同类产品进行比较。

三星解释说,在DRAM芯片中,每个小区由一个电容器和一个晶体管构成。缩放它们比较困难,例如,闪存类型NAND,由一个晶体管,所以三星不得不修改生产技术 - 被施加到浸没式光刻准分子激光和修改的双图案形成方法和原子层沉积。

有趣的是,20-nm工艺技术的过渡将使三星30 %增加相比,25-nm技术芯片产量,更比30纳米技术类一倍以上。该公司指出,在未来的新工艺,可用于在10纳米级的速率生产的芯片。

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