Samsung ha comenzado la producción en masa de chips DRAM de 20 nm

Samsung ha comenzado la producción en masa de chips DRAM de 20 nm

06/04/2019 0 autor de administración

Samsung ha anunciado hoy el inicio de la producción en masa de chips de memoria DRAM tipo con topológicos 20 nanómetros. Corea del Sur notas gigantes, pero los módulos de memoria DDR3 en base a los nuevos chips son capaces de pasar hasta 25 {} f8a532220f0de27a231c66e2f012401e0f6dc5d7d288736d6715349e9061f251 menos energía en comparación con productos similares basados ​​en chips de 25 nm.

Samsung explica que en los chips de DRAM, cada célula se compone de un condensador y un transistor. Escala ellos más difícil que, por ejemplo, flash tipo de memoria NAND, que consiste en un transistor, por lo que Samsung tuvo que modificar la tecnología de producción - se aplica a la inmersión litografía láser excimer y un patrón de doble modificado método y la deposición de capa atómica de conformación.

Curiosamente, la transición a la tecnología de proceso de 20 nm permitirá Samsung 30 % para aumentar los volúmenes de producción de chips en comparación con la tecnología de 25 nm, y más del doble en comparación con la clase de tecnología de 30 nm. La compañía señala que en el futuro el nuevo proceso puede ser utilizado para la producción de chips a velocidades de clase 10 nm.

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